**INTEL VUOLE REALIZZARE CHIP A 1 NM GIA’ NEL 2027: COSA SIGNIFICA**
Quando abbiamo parlato dei chip TSMC a 2 nm ci siamo ampiamente soffermati sul significato di nodo di produzione e sui cambiamenti che introducono le tecniche di miniaturizzazione dei transistor basate sull’utilizzo della litografia ultravioletta estrema (EUV), soprattutto con i nuovi scanner EUV High-NA per realizzare chip ancora più “densi”.
Stando a quanto rivelato dal numero uno di Intel, Pat Gelsinger, le difficoltà riscontrate in passato con il passaggio al nodo a 10 nm e le lungaggini per la migrazione da un processo costruttivo a uno più avanzato sarebbero ormai un lontano ricordo. Intel, infatti, ha aperto l’era angstrom: fino a “ieri” l’unità di misura di riferimento per esprimere la dimensione dei transistor era il nanometro. Con l’obiettivo di migliorare ancora le prestazioni e l’efficienza dei chip, adesso Intel usa l’angstrom, decima parte del nanometro, e annuncia che nel 2026 sarà pronta per realizzare processori a 14 Å (angstrom), equivalenti a 1,4 nm. Basti pensare che la sezione di un capello equivale a 800.000 angstrom, i virus a RNA hanno dimensioni tra 800 e 1.600 angstrom.
**CHIP INTEL A 10 Å (1 NM) IN ARRIVO NEL 2027**
Come si vede nel grafico condiviso dall’azienda, la società conferma che l’adozione della litografia ultravioletta estrema comincia con i nodi Intel 4 e Intel 3, per poi culminare con i processi costruttivi che segnano il passaggio all’unità angstrom.
**LE INNOVAZIONI INTEL SI CONCENTRERANNO ANCHE SUL VERSANTE PACKAGING**
Il nodo Intel 20A vede l’integrazione di due nuove tecnologie: l’alimentazione posteriore PowerVIA e l’utilizzo di transistor GAA RibbonFET. Intel intensificherà anche le capacità di produzione in termini di packaging avanzato per Foveros, EMIB, SIP e HBI:
– Foveros: Si tratta di una Tecnologia di packaging tridimensionale che consente lo stacking verticale di chip diversi su un unico package, consentendo una maggiore densità e prestazioni.
– EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge): Tecnologia di packaging che permette di collegare più chip su un singolo package tramite un’interconnessione avanzata, ottimizzando le prestazioni e l’efficienza.
– SIP (Silicon Photonics): Rappresenta l’integrazione della tecnologia fotonica nel silicio, consentendo la trasmissione ottica dei dati all’interno del chip per ottenere prestazioni migliori.
– HBI (Hybrid Bond Interconnect): Si riferisce a una tecnologia di interconnessione ibrida che combina diverse tipologie di legami per collegare i vari componenti su un package, migliorando le prestazioni e l’efficienza energetica.
**GLI INVESTIMENTI NELLA REALIZZAZIONE DI NUOVE FABBRICHE E NEL POTENZIAMENTO DEGLI ATTUALI STABILIMENTI**
Oltre alle strutture esistenti, l’azienda prevede di investire 100 miliardi di dollari nei prossimi cinque anni nell’ampliamento delle fabbriche e in investimenti su nuovi siti produttivi. Certamente avvalendosi di iniziative come il Chips Act europeo. Tra l’altro, i ritardi della Germania nell’elargizione dei fondi preventivati, avrebbero potuto riportare in lizza anche il nostro Paese come una delle prime scelte per la realizzazione di stabilimenti Intel. L’azienda, stando alle prese di posizione di gennaio 2024, tuttavia, dovrebbe insistere su Germania e Polonia.
Intel sta quindi lavorando per creare stabilimenti completamente autonomi, che si avvarranno anche di robot guidati dall’Intelligenza Artificiale. Keevan Esfarjani, vice presidente esecutivo di Intel, non ha indicato quando la società inizierà ad utilizzare in pianta stabile l’automazione basata su IA, ma ha affermato che quest’ultima avrà un impatto determinante su ogni aspetto del business della società.
L’umanoide (?) al quale sta pensando Intel per le sue fabbriche si chiama Cobot AI: si tratta di un robot collaborativo che può lavorare insieme agli esseri umani e dedicarsi all’automazione di una vasta gamma di processi di produzione.
Le Immagini pubblicate nell’articolo sono tratte dal sito Intel.